ヘッドスプリング 
パワーエレクトロニクス機器
次世代パワー半導体(SiC/GaN)搭載
開発プラットフォーム 


ヘッドスプリング/headspring

ヘッドスプリング社の『次世代パワー半導体(SiC/GaN)搭載開発プラットフォーム』は、
パワーエレクトロニクスの実験設備を標準パーツの組み合わせと少しのカスタマイズで実現できるようにする、
というコンセプトで開発された製品です。

また、次世代パワー半導体パワーデバイスを搭載したパワー回路、マイコンやFPGAを搭載した高速で汎用的なコントローラなど、
高性能が要求される先端の研究・開発における試験設備にも利用することができます。

  • 設計資料付属によりユーザーが自由にカスタマイズ可能
  • 開発プロフェッショナルのノウハウを凝縮
  • 高機能を重視した特殊用途の製品もラインナップ
  • 研究用・開発用の設備を低コストで構築することが可能




プログラマブル直流回生電源
プログラマブル直流回生電源 biATLAS

biATLAS-Dはプログラマブルな直流回生電源で、
モータやインバータ、コンバータなどの評価に適しています。
モータの減速時の電力を回生することが可能で、
エネルギーロスの少ない省エネ型の電源です。


プログラマブル直流回生電源 biATLAS




パワーエレクトロニクス向け ラピッド・プロトタイピング ツール biRAPID
パワーエレクトロニクス向け ラピッド・プロトタイピング ツール


変換器回路セット

ヘッドスプリング SiCインバータ実験キット HEK-INV-A SiC三相インバータ実験キット

HEK-INV-A


・パワーエレクトロニクスの教育用・学生実験用に
・SiCパワーデバイスの評価用に
ヘッドスプリング GaNインバータ実験キット HEK-INV-B GaN三相インバータ実験キット

HEK-INV-C

・GaNパワーデバイスの評価用に
・リアクトルの損失評価用に
・モータードライブ、非接触給電、系統連系などのアプリケーションの試作用/実験用に



変換器回路

ヘッドスプリング SiCインバータ回路ブロック HGCB-6A-401300 三相インバータ回路
SiC三相インバータ回路ブロック


HGCB-6A-401300
ヘッドスプリング GaNインバータ回路ブロック HGCB-6B-401120 三相インバータ回路
GaN三相インバータ回路ブロック


HGCB-6B-401120

ヘッドスプリング SiCインバータ回路ブロック HGCB-2B-401150 ハーフブリッジ回路
Gan回路ブロック


HGCB-2B-401150
ヘッドスプリング GaNインバータ回路ブロック HGCB-4A-401200 Hブリッジ回路
SiC Hブリッジ回路ブロック


HGCB-4A-401200


センサ基板

ヘッドスプリング 電圧センサボード HVSB-3A-4014R0 電圧センサボード

HVSB-3A-4014R0
ヘッドスプリング 電流センサボード HCSB-3A-1514R5 電流センサボード

HCSB-3A-1514R5


信号変換基板

ヘッドスプリング 光-電気 変換ボード HOEB-2A 光-電気 変換ボード

HOEB-2A
ヘッドスプリング 電気-光 変換ボード HEOB-2A 電気-光 変換ボード

HEOB-2A


コントローラ基板

ヘッドスプリング パワエレ開発用コントローラ HECS-B/A パワエレ開発用コントローラ

HECS-B/A
ヘッドスプリング 多ゲートコントローラ HEC1-S1-B 多ゲートコントローラ

HEC1-S1-B


ソフトウェア開発

ヘッドスプリング パワエレ開発用キット HSDT-KIT-B パワエレ開発用キット

HSDT-KIT-B





技術サポート窓口:ヘッドスプリング株式会社

ヘッドスプリング/headspring