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ヘッドスプリング 
パワーエレクトロニクス機器
次世代パワー半導体(SiC/GaN)搭載
開発プラットフォーム 


ヘッドスプリング/headspring

ヘッドスプリング社の『次世代パワー半導体(SiC/GaN)搭載開発プラットフォーム』は、
パワーエレクトロニクスの実験設備を標準パーツの組み合わせと少しのカスタマイズで実現できるようにする、
というコンセプトで開発された製品です。

また、次世代パワー半導体パワーデバイスを搭載したパワー回路、マイコンやFPGAを搭載した高速で汎用的なコントローラなど、
高性能が要求される先端の研究・開発における試験設備にも利用することができます。

  • 設計資料付属によりユーザーが自由にカスタマイズ可能
  • 開発プロフェッショナルのノウハウを凝縮
  • 高機能を重視した特殊用途の製品もラインナップ
  • 研究用・開発用の設備を低コストで構築することが可能


実験キット

ヘッドスプリング SiCインバータ実験キット HEK-INV-A SiCインバータ実験キット

HEK-INV-A


・パワーエレクトロニクスの教育用・学生実験用に
・SiCパワーデバイスの評価用に
ヘッドスプリング GaNインバータ実験キット HEK-INV-B GaNインバータ実験キット

HEK-INV-C

・GaNパワーデバイスの評価用に
・リアクトルの損失評価用に
・モータードライブ、非接触給電、系統連系などのアプリケーションの試作用/実験用に


三相インバータ・コントローラ・操作ボードが
セットになった実験キット。
スイッチング周波数・デッドタイム・変調率・出力周波数などが操作ボードにより変更できる
ソフトウェアがあらかじめ組み込まれており、
電源を入れるだけで実験が可能です。




技術サポート窓口:ヘッドスプリング株式会社

ヘッドスプリング/headspring





SiCインバータ実験キット

GaNインバータ実験キット

三相インバータ(SiC)

三相インバータ(GaN)

開発支援キット

操作ボード

コントローラ

コントローラ(多ゲート)

回路ブロック(SiC)

回路ブロック(GaN)

Hブリッジ回路ブロック(SiC)

双方向スイッチ回路ブロック(SiC)

電圧/電流センサボード

電気/光 変換ボード

リアクトルボード

双方向DC-ACモジュール