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ヘッドスプリング (headspring) | 評価キット

SiCパワーデバイス搭載回路ブロック
HGCB-2A-401350 


ヘッドスプリング/headspring

概要

本製品はローム社製トレンチ構造SiC-MOSFETを搭載したハーフブリッジ回路(インバータ一相分)です。
SiCパワーデバイスの評価用としては勿論、1台で約7kWの出力が可能なため負荷を用いた試験も実施可能です。


特長


SiC-MOSFET、絶縁されたゲートドライブ回路、ゲート電源回路を搭載

SiCデバイスの試験環境を簡単に構築可能


シンプルでオープンな構造

SiCの特性、周辺回路の動作を確認しやすい


回路図等の設計資料を公開

理論と実動作の両方を検討できる



ラインナップ

※購入する数量によって単価が変わります。
在庫表記 : 在庫表記3日~4日 : 在庫表記1週間以内 : 在庫表記別途問合せ :在庫表記在庫なし

ヘッドスプリング/headspring

品名仕様在庫MOQ~教育機関向け
HGCB-2A-401350
回路ブロック(SiC)
¥98,000

アカデミック
特別価格

※表示は消費税抜き価格です。学校など教育機関向け『アカデミック特別価格』は、別途お問合せ下さい。





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