ヘッドスプリング (headspring) | 評価キット
GaNパワーデバイスの特性評価およびGaNパワーデバイスを搭載した
電力変換器の動作確認を容易にするための回路ブロックです。
本製品はGaN Systems社製GaN E-HEMT「GS66508B」を搭載したハーフブリッジ回路(インバータ一相分)です。
GaNパワーデバイスの評価用としては勿論、1台約3kWの出力が可能なため負荷を用いた試験も実施可能です。
GaN E-HEMT、絶縁されたゲートドライブ回路、ゲート電源回路を搭載
GaNデバイスの試験環境を簡単に構築可能
シンプルでオープンな構造
GaNの特性、周辺回路の動作を確認しやすい
回路図等の設計資料を公開
理論と実動作の両方を検討できる
品名 | 仕様 | 在庫 | MOQ~ | 教育機関向け |
---|---|---|---|---|
HGCB-2B-401150 回路ブロック(GaN) |
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アカデミック 特別価格 |
※表示価格は、税抜単価(カッコ内は税込単価)です。学校など教育機関向け『アカデミック特別価格』は、別途お問合せ下さい。
パワーエレクトロニクス向け ラピッド・プロトタイピング ツール
![]() SiCインバータ実験キット |
![]() GaNインバータ実験キット |
![]() 三相インバータ(SiC) |
![]() 三相インバータ(GaN) |
![]() 回路ブロック(GaN) |
![]() Hブリッジ回路ブロック(SiC) |
![]() 電圧/電流センサボード |
![]() 電気/光 変換ボード |
![]() コントローラ |
![]() コントローラ(多ゲート) |
![]() 開発支援キット |
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