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ヘッドスプリング (headspring) | 評価キット

SiC-MOSFET搭載
双方向DC-AC変換モジュール [ セミカスタム品 ] 


ヘッドスプリング/headspring

概要

V2Hシステムや蓄電システムに利用可能な省スペースの組み込み用電力変換モジュール

SiC-MOSFETを搭載した高効率な電力変換モジュールです。
内部に非絶縁DCDCコンバータと単相インバータの回路が含まれており、双方向の電力変換が可能です。
量産品への組み込みにより製品開発を加速します。


項目仕様
入力DC150~450V / 30A / 4.5kW
中間DC350~450V
出力1φ2W / AC200V / 22.5Arms / 4.5kW
サイズW270 × D120 × H105 mm
スイッチングデバイスSiC-MOSFET
スイッチング周波数100kHz

サイズー損失

スイッチング周波数・損失・サイズのバランスを取り、既存品の約3分の1へのダウンサイジングを可能にします。
既存製品と比較し、スイッチング周波数を増加させたものの、損失は同程度を維持できているため、
結果的にモジュールのサイズは小さくなっています。

 ヘッドスプリング(headspring)パワーエレクトロニクス機器 双方向DC-AC変換モジュール サイズー損失


製品の構成

 ヘッドスプリング(headspring)パワーエレクトロニクス機器 双方向DC-AC変換モジュール 製品の構成







SiCインバータ実験キット

GaNインバータ実験キット

三相インバータ(SiC)

三相インバータ(GaN)

開発支援キット

操作ボード

コントローラ

双方向DC-AC変換モジュール

回路ブロック(SiC)

回路ブロック(GaN)

Hブリッジ回路ブロック(SiC)

双方向スイッチ回路ブロック(SiC)

電圧/電流センサボード

電気/光 変換ボード

リアクトルボード

双方向DC-ACモジュール