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ローム (ROHM)

パワーデバイス
SiCパワーデバイス 各種


ローム/ROHM


特長

シリコンカーバイド(SiC)デバイスは、シリコン(Si)デバイスと比較してオン抵抗が低く、高温、高周波、高電圧環境での性能が優れていることから、次世代の低損失半導体として大いに期待されています。
SiCデバイスの優れた性能によって設計の複雑さが解消され、使用する部品数は少なく済みます。
ROHMは、多くの業界のさまざまな用途に対応する、高効率で節電効果の高いSiCパワーデバイスおよびモジュールを開発しています。
SiC技術の応用:ソーラーおよび風力向けDC/ACコンバータの高効率インバータ、電気自動車およびハイブリッド自動車向けのパワーコンバータ、産業機器およびエアコン向けのパワーインバータ、X線発生装置向けの高電圧スイッチ、薄膜コーティングプロセスなど。
ROHMのSiC製品ROHMの幅広いポートフォリオには、SiCショットキーバリアダイオード(SBD)、SiC MOSFET、フルSiCパワーモジュール(SiC SBDとMOSFETを内蔵)、高熱抵抗パワーモジュールなどがあります。
これらの高効率デバイスは、エンド製品を大幅に小型化できる可能性があります。
SiC サポートページ評価ボード、ドキュメント 採用事例紹介ROHMSiCデバイス SiCとは?エレクトロニクス豆知識業界最先端のSiCパワーソリューション シリコンカーバイドがパワーエレクトロニクス分野で期待される材料である理由について低損失、高耐圧、高速スイッチング、耐熱性などの優れた特性を有しており、シリコン半導体(Si)に比べて高効率化、小型・軽量化が可能。


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ローム ROHM SiCパワーデバイス SiC MOSFET SiC MOSFET

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ローム ROHM SiCパワーデバイス SiC ショットキーバリアダイオード SiC ショットキーバリアダイオード

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