・下面電極構造の採用
・小型低背かつ大容量 標準構造(Jリード)タイプと比較して約1.5倍の大容量を実現
・陰極層に導電性高分子を採用
・高許容リプル電流
・高いノイズ除去性
・導電性高分子の絶縁化による高い安全性
・DCバイアスによる静電容量の低下がない
・圧電特性がないため音鳴りがない
| 品名 | 仕様 | 販売形態 | 在庫 | MOQ | まとめ購入 |
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| TCTOPL0J106M8R-ZM1 | 通常ロット |  |
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| TCTOPL0J226M8R | 通常ロット |  |
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