ローム (ROHM) | SiCパワーデバイス | SiC MOSFET

650V, 70A, 4端子THD, トレンチ構造 SiC-MOSFET
SCT3030ARC14 


ローム/ROHM ROHS対応品

特長

ローム(ROHM) 650V, 70A, 4端子THD, トレンチ構造 SiC-MOSFETの、SCT3030ARC14です。
※パッケージ TO-247-4L : 240pcs / チューブ

SCT3030ARは、高効率が求められるサーバー用電源や太陽光インバータ、電動車の充電ステーションなどに最適な、トレンチゲート構造のSiC MOSFET。
パワーソース端子とドライバーソース端子を分離した4端子パッケージで、高速スイッチング性能を最大限に引き出しています。
特にターンオンでの損失を大幅に改善しています。
従来の3端子パッケージ(TO-247N)と比較して、ターンオン損失とターンオフ損失を合計すると約35%の損失低減が見込めます。


仕様

  • VDS[V] : 650
  • オン抵抗(typ.)[mΩ] : 30.0
  • ID[A] : 70.0
  • PD[W] : 262
  • ジャンクション温度(Max.)[℃] : 175
  • 保存温度範囲(Min.)[℃] : -55
  • 保存温度範囲(Max.)[℃] : 175


寸法図

ローム ROHM SiC MOSFET SCT3030ARC14 寸法図 図面



ラインナップ

※購入する数量によって単価が変わります。
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SCT3030ARC14 通常ロット ¥ -
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