IGBTとMOSFETの違い

パワーエレクトロニクスの分野では、スイッチング素子として
IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)」と 「MOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)」が広く使用されています。
これらは高効率な電力変換や電力制御の要となるデバイスですが、それぞれ特性が異なり、適した用途も異なります。
ここでは、IGBTMOSFETの基本的な構造や特徴、用途の違いについて詳しく解説します。



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IGBTとMOSFETの違いって具体的に何ですか?
どっちを選べばいいのか迷います。
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簡単に言うと、IGBTは高電圧・大電流向け、
MOSFETは高周波スイッチング向けの特性を持っています。
どちらを選ぶかは、用途や求める性能によります。


IGBTの特徴

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)は、
MOSFETの高速スイッチング性能とBJT(バイポーラトランジスタ)の大電流特性を兼ね備えたパワーデバイスです。


MOSFETの特徴

MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)は、電界効果を利用して電流を制御する半導体素子です。



IGBTとMOSFETの比較


項目 IGBT MOSFET
動作電圧 高電圧(600V以上) 低~中電圧(500V以下)
スイッチング速度 比較的遅い 高速
用途 インバーター、モータードライブ スイッチング電源、DC-DCコンバータ
導通損失 低い 非常に低い


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この比較からもわかるように、IGBTとMOSFETはそれぞれ異なる用途に適しています。
例えば、大電力を扱うインバーターにはIGBTが適し、
高速スイッチングが求められる回路ではMOSFETが適しています。


まとめ

IGBTMOSFETは、それぞれ異なる特徴を持ち、用途によって使い分けが必要です。
IGBTは高電圧・大電流用途に適しており、インバーターやモータードライブなどで活躍します。
一方、MOSFETは高速スイッチングが可能なため、スイッチング電源DC-DCコンバータなどに向いています。
用途に応じて適切なデバイスを選択することが、効率の良い電力制御につながります。






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